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推挽拓扑输出功率
推挽拓扑输出功率及输入电压的限制推挽电路除了磁通不均衡问题外 （ 该问题在电流形式推挽拓扑中不存在） ，其输出功率 会遭到的限制，而输入电压会遭到 的限制。 给出了不同预期输出功率 卡的开关管幅值电流 ， 给出 f 对应最大直流输入电压下的开关管最大电压...www.kiaic.com/article/detail/200.html 2018-03-29
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次级负载、续流二极管
电流选择次级和输出电感线径 、整流 极管和续流二极管额起电流时 ，需求晓得各自输出电 流的幅值和波形 。所述的 buck 调整器相似 ，QI 导通时，次级恒定电压加在输出电感两端 （ 其输 入端相关于输陪i端为正） 使次级电流具有阶梯斜坡的特征 ，QI 关断时，电感...www.kiaic.com/article/detail/201.html 2018-03-29
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集射极间电压
?射极开路的时分，集射极间能够承受的最大电压 。它是器件的最小额定电压。假设基射极间的电阻很小 （ 50 lOO!l） ，那么在关断状态下晶体管能够承受一个更高的电压。www.kiaic.com/article/detail/202.html 2018-03-29
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buck电流馈电全桥拓扑
buck电流馈电全桥拓扑逐个根本工作原理这种拓扑如图 所示。它与图所示的 buck 电压馈电全桥电路相似，同样没有输出电感。但还比 后电路少了 buck 滤波电容 Cl 。不过可以为此处仍有一个由次级输出 电容依据变压器臣比平方关系折射的当量电容 CIV ，其滤波功用...www.kiaic.com/article/detail/203.html 2018-03-29
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MOS场效晶体管-功率场效晶体管结构与工作原理-KIA MOS管
功率场效应晶体管（P-MOSFET）简称功率MOSFET，是使用大都载流子导电的半导体器材，且导通时只要一种极性的载流子参加导电，是单极型晶体管。与使用少数载流子导电的双极型功率晶体管比较，功率 MOSFET 只靠单一载流子导电 ，不存在存储效应 ，因而其关断进程十...www.kiaic.com/article/detail/206.html 2018-03-29
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高压双极型晶体管驱动
在离线反激变换器中用到高压双极型晶体管的地方 ，也许会碰到tl 800V 级别的电 压。V阳额定值在 400V 到 1000V 之间的高压晶体管与低压三极管的对应性能会有点 不同。这是由于高压器件的 结构与低压器件的结构有根本的不同 。为了获得更有效 、更高速和更可靠的...
www.kiaic.com/article/detail/208.html 2018-03-29
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变压器辅助缓冲器
变压器辅助缓冲器图中的电路可以显著减小甚至消除 RCD 缓冲器的漏感尖峰 ，而且不需要增大电（缓冲电容的增加会导致缓冲器电阻损耗的增加） 。www.kiaic.com/article/detail/209.html 2018-03-29
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全桥拓扑基本工作原理
变换器最主要的优点是 ，其初级施加的是幅值方波电压，而非半桥变换器的士Vc1c / 2 ，但其开关管承受的关断电压却与半桥变换器相同 ，等于最大输入直流电压 。所以 在开关管承受相同峰值电流和电压的 条件下 ，全桥变换器输出功率是半桥变换器的两倍 。当 然，...www.kiaic.com/article/detail/210.html 2018-03-29
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晶体管的驱动 MOSFET 管
如上所述 ，栅极驱动电路必须能输出电流 ，即成为 “ 源”。同时，为了提供栅极反向电 压，驱动电路必须能从栅极抽取电流 ，即成为 “ 汇”。大部分早期的 PWM 芯片 （ SG1524 系列） 的驱动电路，不能同时抽取和输出电流。即不 能同时成为漏极导通和关断的 “...www.kiaic.com/article/detail/211.html 2018-03-29
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线性电源的主要性能
开关电源发生过电压、过电流短路时，保护电路使开关电源停止工作以保护负载和电源本身。线性电源一般是将输出电压取样后与参考电压起送入比较电压放大器，此电压放大器的输出作为电压调整管的输入，用以控制调整管使其结电压随输入的变化而变化，从而调整其输出...www.kiaic.com/article/detail/214.html 2018-03-29
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导通瞬间基极驱动
导通瞬间基极过驱动峰值输入电流／bl为了保证迅速导通集电极电流，需要有一个持续时间很短且峰值约为导通期间平均值2～3倍的基极尖峰电流供给基极。该尖峰的持续时间仅为最小导通时间的2%-3%.www.kiaic.com/article/detail/215.html 2018-03-29
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MOSFET栅极电压
MOSFET没有存储时间 ，只存一个关断延迟时间 。关断延迟时间是栅极电压从最高电压（约为OV ） 下降到电压 Vd1 图 9.3 b所需的时间 。在这个时间段内漏极电流保持不变 ，当栅极电压下降到 Vd1 时，MOS管开始关断 。所以漏极电流F降时间是栅极电压从 Vd1下降到阔...www.kiaic.com/article/detail/218.html 2018-03-29
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单片开关电源的基本原理
单片MOS开关电源的典型应用电路如图1-13所示。由于单端反激式开关电源电路简单、所用元件少，输出与输人间有电气隔离，能方便地实现多路输出，开关管驱动简单，所以该电源便采用了单端反激式拓扑结构。由图1-13可知，高频变压器初级绕组NP的极性与次级绕组反馈...www.kiaic.com/article/detail/220.html 2018-03-29
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双极型晶体管半导体
晶体管（是转换电阻transfer rcsistor的缩写）是一个多重结的半导体器件，通常晶体管会与其他电路器件整合在一起，以获得电压、电流或是信号功率增益．双极型晶体管，或称双极型结晶体管，是最重要的半导体器件之一，在高速电路、模拟电路、功率放大等方面具有...www.kiaic.com/article/detail/225.html 2018-03-29